季华实验室和季华恒一（佛山）半导体科技有限公司建成设备-工艺-材料协作开发的半导体装备研发和工艺验证中试平台，具备 SiC 高温外延生长装备生产能力和SiC外延工艺验证能力；该平台通过外延工艺实验有效检验了SiC高温外延生长装备的性能稳定可靠，并实现了设备技术改进的有效反馈，有力促进了SiC高温外延生长装备开发和产业化。SiC外延生长装备中试平台成功实现科技成果转化1项，实现科技成果转化收入2800万元；为多家行业用户提供技术验证及在批量生产前的工艺验证以及技术人员培训。

可提供的服务内容：

围绕大功率半导体装备基础理论研究、装备共性技术开发、关键零部件评估与集成验证、装备研发与工艺验证、大功率半导体装备技术标准制定以及泛半导体装备及技术研发等开展建设，开发满足高良率、稳定生产需求的碳化硅（SiC）单晶生长系统、高温外延生长系统、高温离子注入系统、高温氧化系统、快速退火系统、电子束蒸镀系统、磁控溅射镀膜系统等大功率芯片制造核心装备，可以为用户提供上线前的技术验证及在批量生产前的工艺验证，同时还可以为用户提供操作技术人员的培训。